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FDB2614
1个N沟道 耐压:200V 电流:62A
- 描述
- 此 N 沟道 MOSFET 是使用 PowerTrench 工艺生产的，该工艺适用于最大程度降低导通电阻，同时保持卓越的开关性能。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDB2614
- 商品编号
- C898555
- 商品封装
- D2PAK(TO-263)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.8克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 62A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | 260W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 66nC@100V | |
| 输入电容(Ciss) | 7.23nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 165pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
SUPREMOS MOSFET是采用深槽填充工艺的下一代高压超结（SJ）技术产品，这使其有别于传统的SJ MOSFET。这种先进技术和精确的工艺控制实现了最低的比导通电阻（Rsp）、卓越的开关性能和耐用性。SUPREMOS MOSFET适用于高频开关电源转换器应用，如功率因数校正（PFC）、服务器/电信电源、平板电视电源、电脑电源（ATX）和工业电源应用等。
商品特性
- 栅源电压（VGS） = 10 V、漏极电流（ID） = 38 A时，漏源导通电阻（RDS(on)） = 28 mΩ（典型值）
- 超低栅极电荷（典型栅极电荷（Qg） = 218 nC）
- 低有效输出电容（典型有效输出电容（Coss(eff.)） = 914 pF）
- 经过100%雪崩测试
- 该器件无铅且符合RoHS标准
应用领域
-太阳能逆变器-交流-直流电源