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FDB2614
1个N沟道 耐压:200V 电流:62A
- 描述
- 此 N 沟道 MOSFET 是使用 PowerTrench 工艺生产的，该工艺适用于最大程度降低导通电阻，同时保持卓越的开关性能。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDB2614
- 商品编号
- C898555
- 商品封装
- D2PAK(TO-263)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.8克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 62A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | 260W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 66nC@100V | |
| 输入电容(Ciss) | 7.23nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 165pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款N沟道MOSFET采用先进的PowerTrench®工艺制造,该工艺经过优化,可在保持卓越开关性能的同时最大限度降低导通电阻。
商品特性
- RDS(on) = 22.9 m Ω(典型值)@ VGS = 10 V,ID = 31 A
- 高性能沟槽技术,实现极低的RDS(on)
- 低栅极电荷
- 高功率和电流处理能力
应用领域
-同步整流-电池保护电路-电机驱动和不间断电源