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FDB082N15A
1个N沟道 耐压:150V 电流:117A
- 描述
- 此 N 沟道 MOSFET 使用先进的 PowerTrench 工艺生产，该工艺适用于最大程度降低导通电阻，同时保持卓越的开关性能。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDB082N15A
- 商品编号
- C898547
- 商品封装
- D2PAK
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 2.27克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 连续漏极电流(Id) | 117A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.7mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 294W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 64.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.645nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 100pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
此 N 沟道 MOSFET 采用先进的 Power Trench 工艺生产,这一先进工艺是专为最大限度地降低导通电阻并保持卓越开关性能而定制的。
商品特性
- RDS(on) = 6.7 m Ω (典型值) \left@ V G S = 1 0 : \textV, I D = 7 5 : \textA\right.
- 快速开关速度
- 低栅极电荷, QG = 64.5 nC (典型值)
- 高性能沟道技术可实现极低的 RDS(on)
- 高功率和高电流处理能力
- 符合 RoHS 标准
应用领域
- 用于ATX/服务器/电信PSU的同步整流
- 电池保护电路
- 电机驱动和不间断电源
- 微型太阳能逆变器