FDB14AN06LA0-F085
1个N沟道 耐压:60V 电流:60A
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDB14AN06LA0-F085
- 商品编号
- C898550
- 商品封装
- TO-263AB
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 2.27克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10.2mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 125W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 24nC@5V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.9nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 115pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
SuperFET II MOSFET是全新的高压超结（SJ）MOSFET系列，采用电荷平衡技术，具备出色的低导通电阻和低栅极电荷性能。该技术旨在最大限度降低传导损耗，提供卓越的开关性能、dv/dt速率和更高的雪崩能量。此外，内部栅源ESD二极管可承受超过2kV的HBM浪涌应力。因此，SuperFET II MOSFET非常适用于音频、笔记本电脑适配器、照明、ATX电源和工业电源等开关电源应用。
商品特性
- rDS(ON) = 12.8 mΩ(典型值),VGS = 5 V,ID = 60 A
- Qg(tot) = 24 nC(典型值),VGS = 5 V
- 低米勒电荷
- 低QRR体二极管
- 具备UIS能力(单脉冲和重复脉冲)
- 通过AEC Q101认证
- 符合RoHS标准
应用领域
- 电机/车身负载控制
- 防抱死制动系统(ABS)
- 动力总成管理
- 喷射系统
- 直流-直流转换器和离线式UPS
- 分布式电源架构和电压调节模块(VRM)
- 12V和24V系统的初级开关