FDB12N50FTM-WS
1个N沟道 耐压:500V 电流:11.5A
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDB12N50FTM-WS
- 商品编号
- C898549
- 商品封装
- D2PAK
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 2.27克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 11.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 590mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 165W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 21nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | 11pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
UniFETTM MOSFET是基于平面条纹和DMOS技术的高压MOSFET系列。该MOSFET专为降低导通电阻、提供更好的开关性能和更高的雪崩能量强度而设计。通过寿命控制,UniFET FRFET MOSFET的体二极管反向恢复性能得到了增强。其trr小于100纳秒,反向dv/dt抗扰度为15V/ns,而普通平面MOSFET的trr超过200纳秒,反向dv/dt抗扰度为4.5V/ns。因此,在MOSFET体二极管性能至关重要的某些应用中,它可以减少额外元件并提高系统可靠性。该器件系列适用于开关电源转换器应用,如功率因数校正(PFC)、平板显示(FPD)电视电源、ATX电源和电子灯镇流器。
商品特性
- 在VGS = 10V、ID = 6A时,RDS(on) = 590mΩ(典型值)
- 低栅极电荷(典型值21nC)
- 低Crss(典型值11pF)
- 100%雪崩测试
- 改善dv/dt能力
- 符合RoHS标准
应用领域
-照明-不间断电源-交流-直流电源