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FDB035AN06A0
1个N沟道 耐压:60V 电流:80A 电流:22A
- 描述
- N 沟道 PowerTrench MOSFET 60 V，80 A，3.5 mΩ此款最新的屏蔽门极 PowerTrench MOSFET 具有更小的 QSYNC 和软反向恢复本征体二极管性能，开关速度快，可大幅提高同步整流的效率。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDB035AN06A0
- 商品编号
- C898542
- 商品封装
- D2PAK
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 2.27克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 22A；80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.2mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 310W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 6.4nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 367pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
SuperFET II MOSFET是全新的高压超结（SJ）MOSFET系列，采用电荷平衡技术，具备出色的低导通电阻和低栅极电荷性能。该技术旨在最大限度地降低传导损耗，提供卓越的开关性能、dv/dt速率和更高的雪崩能量。因此，SuperFET II MOSFET非常适合用于开关电源应用，如功率因数校正（PFC）、服务器/电信电源、平板电视电源、ATX电源和工业电源应用。
商品特性
- 在VGS = 10 V、ID = 80 A条件下,RDS(on) = 3.2 mΩ(典型值)
- 在VGS = 10 V条件下,QG(tot) = 95 nC(典型值)
- 低米勒电荷
- 低Qrr体二极管
- 具有UIS能力(单脉冲和重复脉冲)
应用领域
-ATX/服务器/电信电源的同步整流-电池保护电路-电机驱动和不间断电源