FDB045AN08A0-F085
1个N沟道 耐压:75V 电流:19A
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDB045AN08A0-F085
- 商品编号
- C898543
- 商品封装
- TO-263AB
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 2.27克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 75V | |
| 连续漏极电流(Id) | 19A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.9mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 310W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 6.6nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 240pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
SupreMOS® MOSFET采用深槽填充工艺，是下一代高压超结（SJ）技术，与传统SJ MOSFET有所不同。这种先进技术和精确的工艺控制可实现最低的比导通电阻Rsp、卓越的开关性能和高坚固性。SupreMOS MOSFET适用于高频开关功率转换器应用，如功率因数校正（PFC）、服务器/电信电源、平板电视电源、ATX电源和工业电源应用。
商品特性
- 导通电阻rDS(ON) = 3.9 mΩ(典型值),栅源电压VGS = 10 V,漏极电流ID = 80 A
- 总栅极电荷Qg(tot) = 92 nC(典型值),栅源电压VGS = 10 V
- 低米勒电荷
- 低反向恢复电荷(QRR)体二极管
- 具备非钳位感性负载开关(UIS)能力(单脉冲和重复脉冲)
- 通过AEC Q101认证
- 符合RoHS标准
应用领域
- 42V汽车负载控制
- 起动机/交流发电机系统
- 电子动力转向系统
- 电子气门机构系统
- 直流-直流转换器和离线式UPS
- 分布式电源架构和电压调节模块(VRM)
- 24V和48V系统的初级开关