FDB0260N1007L
1个N沟道 耐压:100V 电流:200A
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描述
此 N 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的,特别适用于为工业应用最大程度降低导通电阻,同时保持出色的坚固性和开关性能。
- 品牌名称onsemi(安森美)
商品型号
FDB0260N1007L商品编号
C898539商品封装
TO-263-7包装方式
编带
商品毛重
1克(g)
商品参数
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
类型 | 1个N沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 100V | |
连续漏极电流(Id) | 200A | |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 2.3mΩ@10V,27A | |
功率(Pd) | 3.8W;250W |
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 4V@250uA | |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 118nC@10V | |
输入电容(Ciss@Vds) | 8.545nF@50V | |
反向传输电容(Crss@Vds) | 46pF@50V | |
工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) |
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