温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
FDB0260N1007L
1个N沟道 耐压:100V 电流:200A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 此 N 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，特别适用于为工业应用最大程度降低导通电阻，同时保持出色的坚固性和开关性能。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDB0260N1007L
- 商品编号
- C898539
- 商品封装
- TO-263-7
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.907克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 200A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.3mΩ@10V,27A | |
| 耗散功率(Pd) | 3.8W；250W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 118nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 8.545nF@50V | |
| 反向传输电容(Crss) | 46pF@50V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) |
商品特性
- 典型值：漏源导通电阻（RDS(on)） = 20 mΩ，栅源电压（VGS） = 15 V
- 典型值：漏源导通电阻（RDS(on)） = 16 mΩ，栅源电压（VGS） = 18 V
- 超低栅极电荷（QG(tot) = 196 nC）
- 低有效输出电容（Coss = 296 pF）
- 100% 进行了单脉冲雪崩耐量（UIL）测试
- 该器件无卤化物，符合 RoHS 指令豁免条款 7a，二级互连无铅（2LI）
应用领域
- 不间断电源（UPS）
- 直流-直流转换器（DC-DC Converter）
- 升压逆变器（Boost Inverter）