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FDB0170N607L
1个N沟道 耐压:60V 电流:300A
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- 描述
- 此 N 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，该工艺特别适用于为工业应用最大程度降低导通电阻，同时保持卓越的坚固性和开关性能。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDB0170N607L
- 商品编号
- C898536
- 商品封装
- TO-263-7
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.813克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 300A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.1mΩ@10V,39A | |
| 耗散功率(Pd) | 3.8W；250W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 19.25nF@30V | |
| 反向传输电容(Crss) | 240pF@30V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) |
优惠活动
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