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FDB0170N607L
1个N沟道 耐压:60V 电流:300A
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- 描述
- 此 N 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，该工艺特别适用于为工业应用最大程度降低导通电阻，同时保持卓越的坚固性和开关性能。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDB0170N607L
- 商品编号
- C898536
- 商品封装
- TO-263-7
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.813克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 300A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.1mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.8W；250W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 19.25nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 240pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
SuperFET II MOSFET是全新的高压超结（SJ）MOSFET系列，采用电荷平衡技术，具备出色的低导通电阻和低栅极电荷性能。该技术旨在最大限度降低传导损耗，提供卓越的开关性能、dv/dt速率和更高的雪崩能量。因此，与SuperFET II MOSFET系列相比，SuperFET II MOSFET易驱动系列的上升和下降时间稍慢。该系列型号后缀为“E”，有助于解决电磁干扰（EMI）问题，便于设计实现。若应用中需将开关损耗降至最低并实现快速开关，请考虑选用SuperFET II MOSFET系列。
商品特性
- 在VGS = 10 V、ID = 39 A时,最大rDS(on) = 1.4 mΩ
- 开关速度快
- 栅极电荷低
- 采用高性能沟槽技术,实现极低的RDS(on)
- 具备高功率和电流处理能力
- 符合RoHS标准
应用领域
- 工业电机驱动
- 工业电源
- 工业自动化
- 电池供电工具
- 电池保护
- 太阳能逆变器
- 不间断电源(UPS)和能量逆变器
- 储能
- 负载开关