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FCP850N80Z
1个N沟道 耐压:800V 电流:8A
- 描述
- SuperFET II MOSFET 是全新的高压超结 (SJ) MOSFET 系列，利用电荷平衡技术实现出色的低导通电阻，以及更低门极电荷方面的卓越性能。此工艺专用于最大程度降低导电损耗，提供卓越的开关性能、dv/dt 速率和更高的雪崩能量。另外，内部门极电源 ESD 二极管可承受 2kV 以上的 HBM 电涌应力。因此，SuperFET II MOSFET 非常适用于开关电源应用，如音频、笔记本电脑适配器、照明、ATX 电源和工业电源应用。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FCP850N80Z
- 商品编号
- C898527
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.68克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 800V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 710mΩ@10V,3A | |
| 耗散功率(Pd) | 136W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 29nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.315nF@100V | |
| 反向传输电容(Crss) | 0.74pF@100V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品概述
SupreMOS® MOSFET采用深槽填充工艺，是下一代高压超结（SJ）技术，这使其有别于传统的超结MOSFET。这种先进技术和精确的工艺控制可实现极低的比导通电阻Rsp、卓越的开关性能和耐用性。SupreMOS MOSFET适用于高频开关电源转换器应用，如功率因数校正（PFC）、服务器/电信电源、平板电视电源、ATX电源和工业电源应用等。
商品特性
- 当VGS = 10 V、ID = 12.5 A时，RDS(on) = 107 mΩ（典型值）
- 超低栅极电荷（典型值Qg = 57 nC）
- 低有效输出电容（典型值Coss(eff.) = 262 pF）
- 经过100%雪崩测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- 太阳能逆变器-交流-直流电源