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FDB016N04AL7
1个N沟道 耐压:40V 电流:160A
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDB016N04AL7
- 商品编号
- C898535
- 商品封装
- TO-263-7
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 2.02克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 160A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.16mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 283W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 167nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 11.6nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 230pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
这款N沟道MOSFET采用先进的PowerTrench工艺制造,该工艺经过优化,可在保持出色开关性能的同时,最大限度地降低导通电阻。
商品特性
- 在VGS = 10 V、ID = 80 A的条件下,RDS(on) = 1.16 mΩ(典型值)
- 开关速度快
- 栅极电荷低
- 高性能沟槽技术,实现极低的RDS(on)
- 高功率和大电流处理能力
- 符合RoHS标准
应用领域
- ATX/服务器/电信电源的同步整流
- 电池保护电路
- 电机驱动和不间断电源