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FDB016N04AL7
1个N沟道 耐压:40V 电流:160A
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDB016N04AL7
- 商品编号
- C898535
- 商品封装
- TO-263-7
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 2.02克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 160A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.16mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 283W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 167nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 11.6nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 230pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
SUPERFET III MOSFET是安森美半导体全新的高压超结（SJ）MOSFET系列，采用电荷平衡技术，具备出色的低导通电阻和低栅极电荷性能。这项先进技术旨在最大限度地降低传导损耗，提供卓越的开关性能，并能承受极高的dv/dt速率。 因此，SUPERFET III MOSFET易驱动系列有助于解决电磁干扰（EMI）问题，使设计实现更加容易。
商品特性
- 在TJ = 150°C时耐压700 V
- 典型RDS(on) = 159 mΩ
- 超低栅极电荷（典型Qg = 33 nC）
- 低有效输出电容（典型Coss(eff.) = 300 pF）
- 经过100%雪崩测试
- 这些器件无铅且符合RoHS标准
应用领域
- 计算机/显示器电源-电信/服务器电源-工业电源-照明/充电器/适配器