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FDB0165N807L
1个N沟道 耐压:80V 电流:310A
- 描述
- 此 N 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，该工艺特别适用于为工业应用最大程度降低导通电阻，同时保持卓越的坚固性和开关性能。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDB0165N807L
- 商品编号
- C898534
- 商品封装
- TO-263-7
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.907克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 连续漏极电流(Id) | 310A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.2mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.8W；300W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 304nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 23.66nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 335pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
SupreMOS MOSFET是采用深槽填充工艺的下一代高压超结（SJ）技术，这使其有别于传统的SJ MOSFET。这种先进的技术和精确的工艺控制可实现最低的比导通电阻Rsp、卓越的开关性能和耐用性。SupreMOS MOSFET适用于高频开关功率转换器应用，如功率因数校正（PFC）、服务器/电信电源、平板电视电源、ATX电源和工业电源应用。
商品特性
- 在VGS = 10 V、ID = 36 A时,最大rDS(on) = 1.6 mΩ
- 开关速度快
- 栅极电荷低
- 采用高性能沟槽技术,实现极低的rDS(on)
- 具备高功率和大电流处理能力
- 符合RoHS标准
应用领域
-工业电机驱动-工业电源-工业自动化-电池供电工具-电池保护-太阳能逆变器-UPS和能量逆变器-能量存储-负载开关