FCPF1300N80ZYD
1个N沟道 耐压:800V 电流:6A
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- 描述
- SuperFET II MOSFET 是全新的高压超结 (SJ) MOSFET 系列，利用电荷平衡技术实现出色的低导通电阻，以及更低门极电荷方面的卓越性能。此技术专用于最大程度降低导电损耗，提供卓越的开关性能、dv/dt 速率和更高的雪崩能量。另外，内部门极电源 ESD 二极管可承受 2kV 以上的 HBM 浪涌应力。因此，SuperFET II MOSFET 非常适用于开关电源应用，如音频、笔记本电脑适配器、照明、ATX 电源和工业电源应用。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FCPF1300N80ZYD
- 商品编号
- C898530
- 商品封装
- TO-220F-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.68克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 800V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.05mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 24W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 21nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 880pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 0.74pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
SuperFET II MOSFET 是利用电荷平衡技术实现出色的低导通电阻和更低栅极电荷性能的全新高压超级结 (SJ) MOSFET 系列产品。这项技术专用于最小化导通损耗并提供卓越的开关性能、dv/dt 额定值和更高雪崩能量。此外,内部栅源极 ESD 二极管允许经受超过 2 kV HBM 冲击压力。因此,SuperFET II MOSFET 非常适合功率开关应用,如音频、笔记本适配器、照明、ATX 电源和工业电源应用。
商品特性
- RDS(on) = 1.05 Ω (典型值)
- 超低栅极电荷(典型值 Qg = 16.2 nC)
- 低 Eoss (典型值 1.57 uJ @ 400 V)
- 低有效输出电容 (典型值 Coss(eff.) = 48.7 pF)
- 100%经过雪崩测试
- 符合 RoHS 标准
- 改进的 ESD 能力
应用领域
- AC-DC 电源
- LED 照明