FCP9N60N-F102
1个N沟道 耐压:600V 电流:9A
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FCP9N60N-F102
- 商品编号
- C898529
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.68克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 385mΩ@10V,4.5A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 83.3W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 29nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.24nF@100V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品特性
- 典型导通状态漏源电阻（RDS(on)）：栅源电压（VGS）为 10 V、漏极电流（ID）为 80 A 时为 2.2 mΩ
- 典型总栅极电荷（Qg(tot)）：栅源电压（VGS）为 10 V、漏极电流（ID）为 80 A 时为 80 nC
- 具备单脉冲雪崩耐量（UIS）能力
- 符合 RoHS 标准
- 通过 AEC Q101 认证
应用领域
- 汽车发动机控制
- 动力总成管理
- 电磁阀和电机驱动器
- 集成启动发电机
- 12V 系统主开关