FCP190N60-GF102
1个N沟道 耐压:600V 电流:20.2A
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FCP190N60-GF102
- 商品编号
- C898517
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.68克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 170mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 208W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 74nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.95nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 85pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 结温(TJ)为150°C时耐压650 V
- 典型导通电阻RDS(on) = 170 mΩ
- 超低栅极电荷(典型Qg = 57 nC)
- 低有效输出电容(典型Coss(eff.) = 160 pF)
- 100%经过雪崩测试
- 符合RoHS标准
应用领域
-液晶/发光二极管/等离子电视照明-太阳能逆变器-交流-直流电源