FCP190N60-GF102
1个N沟道 耐压:600V 电流:20.2A
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FCP190N60-GF102
- 商品编号
- C898517
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.68克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 170mΩ@10V,10A | |
| 耗散功率(Pd) | 208W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 74nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.95nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 85pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品特性
- 650 V @ TJ = 150°C，典型值 RDS(on) = 510 mΩ
- Ultra-low gate charge (Typical Qa = 20 nC)
- Low effective output capacitance (Typical Coss(eff.) = 74 pF)
- 100% avalanche tested
- Improved electrostatic discharge protection
- RoHS compliant
应用领域
- Lighting for LCD/LED/PDP TVs and monitors
- Photovoltaic inverters
- AC - DC power supplies