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FCP165N60E
1个N沟道 耐压:600V 电流:23A
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- 描述
- SuperFET II MOSFET是全新的高压超结（SJ）MOSFET产品系列，采用电荷平衡技术，具备出色的低导通电阻和低栅极电荷性能。该技术旨在最大限度地降低传导损耗，提供卓越的开关性能、dv/dt速率和更高的雪崩能量。因此，与SuperFET II MOSFET系列相比，SuperFET II MOSFET易驱动系列的上升和下降时间略长
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FCP165N60E
- 商品编号
- C898513
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.84克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 23A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 165mΩ@10V,11.5A | |
| 耗散功率(Pd) | 227W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 57nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.434nF@380V | |
| 反向传输电容(Crss) | 8.6pF@380V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
SuperFET MOSFET是第一代采用电荷平衡技术的高压超级结（SJ）MOSFET系列产品，具备出色的低导通电阻和更低的栅极电荷性能。该技术旨在最大程度降低导通损耗，同时提供卓越的开关性能、dv/dt额定值和更高的雪崩能量。因此，SuperFET MOSFET非常适合开关电源应用，如功率因数校正（PFC）、服务器/电信电源、平板电视电源、ATX电源及工业电源应用。SuperFET FRFET MOSFET优化了体二极管的反向恢复性能，可省去额外元件并提高系统可靠性。
商品特性
- 650 V @ TJ = 150°C
- 典型值RDS(on) = 150 mΩ
- 超低栅极电荷（典型值Qg = 75 nC）
- 低有效输出电容（典型值Coss.eff = 165 pF）
- 100%经过雪崩测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- 照明
- AC-DC电源
- 太阳能逆变器