FCP22N60N-F102

SupreMOS MOSFET是采用深槽填充工艺的下一代高压超结（SJ）技术，使其有别于传统的SJ MOSFET。这种先进的技术和精确的工艺控制可实现最低的比导通电阻Rsp、卓越的开关性能和耐用性。SupreMOS MOSFET适用于高频开关功率转换器应用，如功率因数校正（PFC）、服务器/电信电源、平板电视电源、ATX电源和工业电源应用。

• 在结温(T\textJ)为150°C时,漏源击穿电压(BV\textDSS) > 650 V
• 在栅源电压(VGS) = 10 V、漏极电流(ID) = 11 A的条件下,导通电阻(RDS(on)) = 140 mΩ(典型值)
• 超低栅极电荷(典型值Qq = 45 nC)
• 低有效输出电容(典型值C\text oss(eff.) = 196.4 pF)
• 经过100%雪崩测试
• 符合RoHS标准

• LCD/LED/PDP电视
• 照明
• 太阳能逆变器
• 交流 - 直流电源