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FCP16N60N
1个N沟道 耐压:600V 电流:16A
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FCP16N60N
- 商品编号
- C898514
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 3.11克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 16A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 170mΩ@10V,8A | |
| 耗散功率(Pd) | 134.4W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 52.3nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.17nF@100V | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品概述
SuperFET II MOSFET是采用电荷平衡技术的全新高压超级结（SJ）MOSFET系列产品，具备出色的低导通电阻和更低的栅极电荷性能。该先进技术旨在最大程度降低传导损耗，提供卓越的开关性能，能够承受极端dv/dt额定值和更高的雪崩能量。因此，SuperFET II MOSFET适用于各种追求系统小型化和高效化的AC-DC功率转换应用。
商品特性
- 650 V @ T_J = 150°C
- 典型值RDS(on) = 150 mΩ
- 超低栅极电荷（典型值Q_g = 42 nC）
- 低有效输出电容（典型值C_oss(eff.) = 190 pF）
- 100%经过雪崩测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- 通信/服务器电源
- 工业电源
- AC-DC电源