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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

FCB20N60FTM

1个N沟道 耐压:600V 电流:20A

描述
SuperFET MOSFET 是第一代高压超结 (SJ) MOSFET 系列,利用电荷平衡技术实现出色的低导通电阻,以及更低门极电荷方面的出色性能。此技术专用于最大程度降低导通损耗,提供出色的开关性能、dv/dt 速率和更高的雪崩能量。因此,SuperFET MOSFET 非常适用于开关电源应用,如 PFC、服务器/电信电源、FPD TV 电源、ATX 电源和工业电源应用。SuperFET FRFET MOSFET 优化的体二极管反向恢复性能可以消除附加组件,提高系统可靠性。
品牌名称
onsemi(安森美)
商品型号
FCB20N60FTM
商品编号
C898503
商品封装
D2PAK​
包装方式
编带
商品毛重
1.7克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)600V
连续漏极电流(Id)20A
导通电阻(RDS(on))190mΩ@10V,10A
耗散功率(Pd)208W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))5V
栅极电荷量(Qg)98nC@10V
输入电容(Ciss)3.08nF@25V
反向传输电容(Crss)95pF
工作温度-55℃~+150℃

数据手册PDF

交货周期

订货59-61个工作日

购买数量

(800个/圆盘,最小起订量 800 个)
起订量:800 个800个/圆盘

总价金额:

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