温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
FCP125N60E
1个N沟道 耐压:600V 电流:29A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- SuperFET II MOSFET 是全新的高压超结 (SJ) MOSFET 系列，利用电荷平衡技术实现出色的低导通电阻，以及更低门极电荷方面的卓越性能。此工艺专用于最大程度降低导电损耗，提供卓越的开关性能、dv/dt 速率和更高的雪崩能量。因此，SuperFET II MOSFET easy-drive 系列与 SuperFET II MOSFET 系列相比，提供了略慢的升降时间。此系列通过“E”零件编号后缀表示，有助于管理 EMI 问题，和简化设计实施。对于必须绝对保证开关损耗最小的更快开关应用中，请考虑 SuperFET II MOSFET 系列。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FCP125N60E
- 商品编号
- C898510
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 3.1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 29A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 102mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 278W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 75nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.99nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 17pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
SupreMOS MOSFET是采用深槽填充工艺的下一代高压超结（SJ）技术，使其有别于传统的SJ MOSFET。这种先进的技术和精确的工艺控制可实现极低的比导通电阻（Rsp）、卓越的开关性能和耐用性。SupreMOS MOSFET适用于高频开关功率转换器应用，如功率因数校正（PFC）、服务器/电信电源、平板电视（FPD TV）电源、ATX电源和工业电源应用。
商品特性
- 650 V @ TJ = 150°C
- 典型RDS(on) = 102 mΩ
- 超低栅极电荷(典型Qg = 75 nC)
- 低有效输出电容(典型Coss(eff) = 258 pF)
- 100%雪崩测试
- 符合RoHS标准
应用领域
-电信/服务器电源-工业电源