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FCP125N60E实物图
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FCP125N60E

1个N沟道 耐压:600V 电流:29A

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描述
SuperFET II MOSFET 是全新的高压超结 (SJ) MOSFET 系列,利用电荷平衡技术实现出色的低导通电阻,以及更低门极电荷方面的卓越性能。此工艺专用于最大程度降低导电损耗,提供卓越的开关性能、dv/dt 速率和更高的雪崩能量。因此,SuperFET II MOSFET easy-drive 系列与 SuperFET II MOSFET 系列相比,提供了略慢的升降时间。此系列通过“E”零件编号后缀表示,有助于管理 EMI 问题,和简化设计实施。对于必须绝对保证开关损耗最小的更快开关应用中,请考虑 SuperFET II MOSFET 系列。
品牌名称
onsemi(安森美)
商品型号
FCP125N60E
商品编号
C898510
商品封装
TO-220​
包装方式
管装
商品毛重
3.1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)600V
连续漏极电流(Id)29A
导通电阻(RDS(on))102mΩ@10V,14.5A
耗散功率(Pd)278W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))2.5V
栅极电荷量(Qg)75nC@10V
输入电容(Ciss)2.99nF@20V
反向传输电容(Crss)17pF
工作温度-55℃~+150℃

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