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商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 800V | |
| 连续漏极电流(Id) | 17A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 259mΩ@10V,8.5A | |
| 耗散功率(Pd) | 212W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 2.41nF@100V | |
| 反向传输电容(Crss) | 0.36pF@100V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品概述
SUPERFET III MOSFET是安森美半导体全新的高压超结（SJ）MOSFET系列，采用电荷平衡技术，具备出色的低导通电阻和低栅极电荷性能。这项先进技术旨在最大限度地降低传导损耗，提供卓越的开关性能，并能承受极高的dv/dt速率。因此，SUPERFET III MOSFET非常适合各种电力系统的小型化和提高效率。
商品特性
- 700 V @ T_J = 150°C
- 典型RDS(on) = 170 mΩ
- 超低栅极电荷（典型Q_g = 30 nC）
- 低有效输出电容（典型C_oss(eff.) = 277 pF）
- 100%雪崩测试
- 这些器件无铅且符合RoHS标准
应用领域
- 电信/服务器电源-工业电源-不间断电源/太阳能