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FCP110N65F实物图
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FCP110N65F

1个N沟道 耐压:650V 电流:35A

描述
SuperFET II MOSFET 是全新的高压超结 (SJ) MOSFET 系列,利用电荷平衡技术实现出色的低导通电阻,以及更低门极电荷方面的卓越性能。此技术专用于最大程度降低导电损耗,提供卓越的开关性能、dv/dt 速率和更高的雪崩能量。因此,SuperFET II MOSFET 非常适用于开关电源应用,如 PFC、服务器/电信电源、FPD TV 电源、ATX 电源和工业电源应用。SuperFET II FRFET MOSFET 优化的体二极管逆向恢复性能可以消除附加组件,提高系统可靠性。
品牌名称
onsemi(安森美)
商品型号
FCP110N65F
商品编号
C898507
商品封装
TO-220​
包装方式
管装
商品毛重
3.35克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)650V
连续漏极电流(Id)35A
导通电阻(RDS(on))96mΩ@10V,17.5A
耗散功率(Pd)357W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))-
栅极电荷量(Qg)98nC@10V
输入电容(Ciss)3.68nF@100V
反向传输电容(Crss)0.65pF@100V
工作温度-55℃~+150℃@(Tj)

数据手册PDF

交货周期

订货89-91个工作日

购买数量

(800个/管,最小起订量 800 个)
起订量:800 个800个/管

总价金额:

0.00

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