FCP110N65F
1个N沟道 耐压:650V 电流:35A
- 描述
- SuperFET II MOSFET 是全新的高压超结 (SJ) MOSFET 系列,利用电荷平衡技术实现出色的低导通电阻,以及更低门极电荷方面的卓越性能。此技术专用于最大程度降低导电损耗,提供卓越的开关性能、dv/dt 速率和更高的雪崩能量。因此,SuperFET II MOSFET 非常适用于开关电源应用,如 PFC、服务器/电信电源、FPD TV 电源、ATX 电源和工业电源应用。SuperFET II FRFET MOSFET 优化的体二极管逆向恢复性能可以消除附加组件,提高系统可靠性。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FCP110N65F
- 商品编号
- C898507
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 3.35克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 35A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 96mΩ@10V,17.5A | |
| 耗散功率(Pd) | 357W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 98nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.68nF@100V | |
| 反向传输电容(Crss) | 0.65pF@100V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
交货周期
订货89-91个工作日购买数量
(800个/管,最小起订量 800 个)个
起订量:800 个800个/管
总价金额:
¥ 0.00近期成交0单
