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FCP110N65F
1个N沟道 耐压:650V 电流:35A
- 描述
- SuperFET II MOSFET 是全新的高压超结 (SJ) MOSFET 系列，利用电荷平衡技术实现出色的低导通电阻，以及更低门极电荷方面的卓越性能。此技术专用于最大程度降低导电损耗，提供卓越的开关性能、dv/dt 速率和更高的雪崩能量。因此，SuperFET II MOSFET 非常适用于开关电源应用，如 PFC、服务器/电信电源、FPD TV 电源、ATX 电源和工业电源应用。SuperFET II FRFET MOSFET 优化的体二极管逆向恢复性能可以消除附加组件，提高系统可靠性。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FCP110N65F
- 商品编号
- C898507
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 3.35克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 35A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 96mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 357W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 98nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.68nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 0.65pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
SUPERFET III MOSFET是安森美半导体全新的高压超结（SJ）MOSFET系列，采用电荷平衡技术，具备出色的低导通电阻和低栅极电荷性能。这项先进技术旨在最大程度降低传导损耗、提供卓越的开关性能，并能承受极高的dv/dt速率。 因此，SUPERFET III MOSFET非常适合用于各种追求小型化和更高效率的电源系统。 SUPERFET III FRFET MOSFET的体二极管反向恢复性能经过优化，可省去额外元件并提高系统可靠性。
商品特性
- 700 V @ TJ = 150°C
- 典型RDS(on) = 96 mΩ
- 超低栅极电荷(典型Qq = 98 nC)
- 低有效输出电容(典型Coss(eff.) = 464 pF)
- 100%经过雪崩测试
- 符合RoHS标准
应用领域
-LCD/LED/PDP电视-通信/服务器电源-太阳能逆变器-AC-DC电源