FCP11N60N-F102
FCP11N60N-F102
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FCP11N60N-F102
- 商品编号
- C898509
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.68克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 连续漏极电流(Id) | 10.8A | |
| 耗散功率(Pd) | 94W |
商品概述
SuperFET II MOSFET是全新的高压超结（SJ）MOSFET系列，采用电荷平衡技术，具备出色的低导通电阻和低栅极电荷性能。该技术旨在最大限度降低传导损耗，提供卓越的开关性能、dv/dt速率和更高的雪崩能量。因此，与SuperFET II MOSFET系列相比，SuperFET II MOSFET易驱动系列的上升和下降时间略慢。该系列产品型号后缀为“E”，有助于解决电磁干扰（EMI）问题，使设计更易于实现。对于要求开关损耗极低的快速开关应用，请考虑选用SuperFET II MOSFET系列。
商品特性
- 在VGS = 10 V、ID = 5.4 A条件下,RDS(on) = 255 mΩ(典型值)
- 超低栅极电荷(典型值Qg = 27.4 nC)
- 低有效输出电容(典型值Coss(eff.) = 130 pF)
- 经过100%雪崩测试
- 符合RoHS标准
应用领域
-液晶/发光二极管/等离子电视-照明-太阳能逆变器-交流-直流电源