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BUZ11-NR4941
1个N沟道 耐压:50V 电流:30A
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- 描述
- 这是一款 N 沟道增强型硅门极功率 MOSFET，适用于开关调节器、开关转换器、电机驱动器、继电器驱动器以及需要高速、低门极驱动功率的高功率双极开关晶体管驱动器。此型号可直接以集成电路运行。之前的研发型号为 TA9771。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- BUZ11-NR4941
- 商品编号
- C898499
- 商品封装
- TO-220AB
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.68克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 50V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 30mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 75W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 1.5nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 250pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 750pF |
商品概述
UniFET MOSFET是基于平面条纹和DMOS技术的高压MOSFET系列。这款MOSFET专为降低导通电阻、提供更好的开关性能和更高的雪崩能量强度而设计。通过寿命控制，UniFET FRFET MOSFET的体二极管反向恢复性能得到了增强。其trr小于100纳秒，反向dv/dt抗扰度为15 V/ns，而普通平面MOSFET的trr超过200纳秒，反向dv/dt抗扰度为4.5 V/ns。因此，在MOSFET体二极管性能至关重要的某些应用中，它可以减少额外元件并提高系统可靠性。该器件系列适用于开关电源转换器应用，如功率因数校正（PFC）、平板显示（FPD）电视电源、ATX电源和电子灯镇流器。
商品特性
- RDS(导通) = 105 mΩ（典型值）@ VGS = 10 V，ID = 22.5 A
- 低栅极电荷（典型值105 nC）
- 低Crss（典型值62 pF）
- 100%经过雪崩测试
- 这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂，符合RoHS标准
应用领域
- 照明
- 不间断电源
- 交流 - 直流电源