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NVHL060N090SC1
1个N沟道 耐压:900V 电流:46A
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NVHL060N090SC1
- 商品编号
- C898293
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.4克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 900V | |
| 连续漏极电流(Id) | 46A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 43mΩ@18V | |
| 耗散功率(Pd) | 221W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 87nC@15V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.77nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 11pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
这款N沟道MOSFET采用仙童半导体公司先进的PowerTrench®工艺制造，该工艺融入了屏蔽栅技术。此工艺针对导通电阻进行了优化，同时保持了卓越的开关性能。
商品特性
- 典型值:当 VGS = 15 V 时,RDS(on) = 60 m Ω
- 典型值:当 VGS = 18 V 时,RDS(on) = 43 m Ω
- 超低栅极电荷(典型值 QG(\texttot) = 87 , \textnC )
- 低有效输出电容(典型值 Coss = 113 pF )
- 经过100%单脉冲雪崩耐量测试
- 通过AEC-Q101认证,具备生产件批准程序(PPAP)能力
- 该器件无卤化物,符合RoHS指令豁免条款7a,二级互连采用无铅技术
应用领域
-汽车车载充电器-电动汽车/混合动力汽车的汽车直流-直流转换器