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NVHL080N120SC1A
1个N沟道 耐压:1.2kV 电流:31A
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NVHL080N120SC1A
- 商品编号
- C898294
- 商品封装
- TO-247-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.06克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.2kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 31A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 80mΩ@20V | |
| 耗散功率(Pd) | 178W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 56nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1.112nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 6.5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 80pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±25V |
商品概述
这是一款N沟道增强型硅栅功率场效应晶体管，适用于开关稳压器、开关转换器、电机驱动器、继电器驱动器以及需要高速和低栅极驱动功率的大功率双极型开关晶体管驱动器等应用。该型号可直接由集成电路驱动。
商品特性
- 典型RDS(导通电阻)= 80 mΩ
- 超低栅极电荷(典型QG(总)= 56 nC)
- 低有效输出电容(典型Coss = 80 pF)
- 100% 进行了UIL测试
- 通过AEC-Q101认证,具备生产件批准程序(PPAP)能力
- 该器件无卤化物,符合RoHS指令(豁免条款7a),二级互连采用无铅2LI工艺
应用领域
- 汽车车载充电器
- 电动汽车(EV)/混合动力汽车(HEV)的汽车DC-DC转换器