我的订单购物车(0)联系客服帮助中心供应商合作嘉立创产业服务群
领券中心备货找料立推专区爆款推荐合作库存PLUS会员BOM配单PCB/SMT工业品面板定制
NTHL020N090SC1实物图
  • NTHL020N090SC1商品缩略图
  • NTHL020N090SC1商品缩略图
  • NTHL020N090SC1商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

NTHL020N090SC1

1个N沟道 耐压:900V 电流:118A

品牌名称
onsemi(安森美)
商品型号
NTHL020N090SC1
商品编号
C898277
商品封装
TO-247​
包装方式
管装
商品毛重
7克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)900V
连续漏极电流(Id)118A
导通电阻(RDS(on))16mΩ@18V
耗散功率(Pd)503W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))4.3V
栅极电荷量(Qg)-
输入电容(Ciss)4.415nF
反向传输电容(Crss)24pF
工作温度-55℃~+175℃

商品概述

这款N沟道增强型功率MOSFET采用安森美半导体专有的平面条形和DMOS技术制造。这种先进的MOSFET技术经过特别设计,可降低导通电阻,并提供卓越的开关性能和高雪崩能量强度。这些器件适用于开关模式电源、有源功率因数校正(PFC)和电子灯镇流器。

商品特性

  • 典型值:当 VGS = 15 V 时,RDS(on) = 20 mΩ
  • 典型值:当 VGS = 18 V 时,RDS(on) = 16 mΩ
  • 超低栅极电荷(QG(tot) = 196 nC)
  • 低有效输出电容(Coss = 296 pF)
  • 经过 100% 非钳位感性负载(UIL)测试
  • 该器件无卤化物,符合 RoHS 指令豁免条款 7a,二级互连(2LI)无铅

应用领域

  • 不间断电源(UPS)
  • 直流 - 直流转换器
  • 升压逆变器

数据手册PDF