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NVH4L160N120SC1
1个N沟道 耐压:1.2kV 电流:17.3A
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- 描述
- 特性：典型导通电阻RDS(on) = 160 mΩ。 超低栅极电荷QG(tot) = 34 nC。 低电容高速开关，输出电容Cₒₛₛ = 49.5 pF。 100%雪崩测试。 符合AEC-Q101标准且具备生产件批准程序（PPAP）能力。 无卤化物，符合RoHS指令豁免条款7a，二级互连无铅。应用：汽车车载充电器。 电动汽车/混合动力汽车的汽车直流-直流转换器
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NVH4L160N120SC1
- 商品编号
- C898288
- 商品封装
- TO-247-4L
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.9克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.2kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 17.3A | |
| 耗散功率(Pd) | 111W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 34nC | |
| 输入电容(Ciss) | 665pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 4.3pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 224mΩ |
优惠活动
购买数量
(450个/管，最小起订量 1 个)个
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