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NVHL025N65S3
1个N沟道 耐压:650V 电流:75A
- 描述
- SUPERFET III MOSFET 是安森美半导体的全新高压超结 (SJ) MOSFET 系列，利用电荷平衡技术实现出色的低导通电阻，以及更低门极电荷方面的卓越性能。此先进技术专用于最大程度降低导电损耗，提供卓越的开关性能，并且可以承受极端 dv/dt 速率。因此，SUPERFET III MOSFET Easy drive 系列有助于管理 EMI 问题，实现更简单的设计实施。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NVHL025N65S3
- 商品编号
- C898291
- 商品封装
- TO-247-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.55克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 75A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 19.9mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 595W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 236nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 7.33nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 33.6pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这些N沟道增强型功率场效应晶体管采用专有的平面条形DMOS技术制造。 这种先进技术经过特别设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合低压应用，如音频放大器、DC/DC转换器的高效开关、直流电机控制和不间断电源。
商品特性
- 通过AEC-Q101认证
- 最高结温150°C
- 典型RDS(on) = 19.9 mΩ
- 超低栅极电荷(典型QG = 236 nC)
- 低有效输出电容(典型Coss(eff.) = 2062 pF)
- 100%经过雪崩测试
- 这些器件无铅且符合RoHS标准
应用领域
- 汽车插电式混合动力汽车(PHEV)-纯电动汽车(BEV)直流-直流转换器
- 汽车PHEV - BEV车载充电器