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NTHL080N120SC1A
1个N沟道 耐压:1.2kV 电流:31A
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NTHL080N120SC1A
- 商品编号
- C898281
- 商品封装
- TO-247-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.3克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.2kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 31A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 80mΩ@20V | |
| 耗散功率(Pd) | 178W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.7V | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 1.112nF | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
这款N沟道增强型功率MOSFET采用仙童半导体公司专有的平面条形和DMOS技术制造。这种先进的MOSFET技术经过特别设计，可降低导通电阻，并提供卓越的开关性能和高雪崩能量强度。这些器件适用于开关模式电源、音频放大器、直流电机控制和可变开关电源应用。
商品特性
- 典型 RDS(on) = 80 mΩ
- 超低栅极电荷(典型 QG(tot) = 56 nC)
- 低有效输出电容(典型 Coss = 80 pF)
- 100% 进行 UIL 测试
- 该器件无卤化物,符合 RoHS 指令(豁免条款 7a),二级互连采用无铅 2LI 工艺
应用领域
-不间断电源(UPS)-DC-DC 转换器-升压逆变器