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NVH4L080N120SC1
1个N沟道 耐压:1.2kV 电流:29A
- 描述
- 碳化硅（SiC）MOSFET采用了全新的技术，与硅基器件相比，具备更出色的开关性能和更高的可靠性。此外，低导通电阻和紧凑的芯片尺寸确保了低电容和低栅极电荷。因此，该系统具有诸多优势，包括实现最高效率、支持更快的工作频率、提高功率密度、降低电磁干扰（EMI）以及减小系统体积
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NVH4L080N120SC1
- 商品编号
- C898287
- 商品封装
- TO-247-4L
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 8.545克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.2kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 29A | |
| 耗散功率(Pd) | 170W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 56nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1.67nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 10pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 120pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 110mΩ |
交货周期
订货9-11个工作日购买数量
(1个/管，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个1个/管
总价金额：
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