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NTHL190N65S3HF
1个N沟道 耐压:650V 电流:20A
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- 描述
- SUPERFET III MOSFET 是安森美半导体的全新高压超结 (SJ) MOSFET 系列，利用电荷平衡技术实现出色的低导通电阻，以及更低门极电荷方面的卓越性能。此先进工艺专用于最大程度降低导电损耗，提供卓越的开关性能，并且可以承受极端 dv/dt 速率。因此，SUPERFET III MOSFET 适用于各种电源系统，实现系统小型化和更高能效。SUPERFET III FRFET MOSFET 优化的体二极管逆向恢复性能可以消除附加组件，提高系统可靠性。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NTHL190N65S3HF
- 商品编号
- C898284
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 6.63克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 190mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 162W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 34nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.61nF | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这些N沟道功率MOSFET采用创新的Ultrafet工艺制造。这种先进的工艺技术可在单位硅片面积上实现尽可能低的导通电阻，从而带来卓越的性能。该器件能够在雪崩模式下承受高能量，其二极管具有极短的反向恢复时间和低存储电荷。它专为对功率效率要求较高的应用而设计，如开关稳压器、开关转换器、电机驱动器、继电器驱动器、低压总线开关，以及便携式和电池供电产品的电源管理。
商品特性
- 700 V @ TJ = 150°C
- 典型RDS(on) = 165 mΩ
- 超低栅极电荷(典型Qg = 34 nC)
- 低有效输出电容(典型Coss(eff.) = 316 pF)
- 经过100%雪崩测试
- 这些器件无铅且符合RoHS标准
应用领域
-电信/服务器电源-工业电源-电动汽车充电器-不间断电源/太阳能