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NTHL110N65S3F
1个N沟道 耐压:650V 电流:30A
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- 描述
- SUPERFET III MOSFET 是安森美半导体的全新高压超结 (SJ) MOSFET 系列，利用电荷平衡技术实现出色的低导通电阻，以及更低门极电荷方面的卓越性能。此先进工艺专用于最大程度降低导电损耗，提供卓越的开关性能，并且可以承受极端 dv/dt 速率。因此，SUPERFET III MOSFET 适用于各种电源系统，实现系统小型化和更高能效。SUPERFET III FRFET MOSFET 优化的体二极管逆向恢复性能可以消除附加组件，提高系统可靠性。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NTHL110N65S3F
- 商品编号
- C898282
- 商品封装
- TO-247-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.12克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 110mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 240W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 58nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.56nF | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 结温TJ = 150°C时耐压700 V
- 典型导通电阻RDS(on) = 98 mΩ
- 超低栅极电荷(典型Qg = 58 nC)
- 低有效输出电容(典型Coss(eff.) = 553 pF)
- 100%经过雪崩测试
- 该器件无铅且符合RoHS标准
应用领域
-电信/服务器电源-工业电源-电动汽车充电器-不间断电源/太阳能