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NTH4L040N120SC1
1个N沟道 耐压:1.2kV 电流:58A
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NTH4L040N120SC1
- 商品编号
- C898274
- 商品封装
- TO-247-4
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 10克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.2kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 58A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 40mΩ@20V | |
| 耗散功率(Pd) | 319W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 1.762nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 11pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
这款N沟道增强型功率MOSFET采用专有平面条形和DMOS技术制造。这种先进的MOSFET技术经过特别设计，可降低导通电阻，并提供卓越的开关性能和高雪崩能量强度。这些器件适用于开关模式电源、有源功率因数校正（PFC）和电子灯镇流器。
商品特性
- 典型导通电阻RDS(on)=40 mΩ
- 超低栅极电荷(总栅极电荷QG(tot)=106 nC)
- 低电容高速开关(输出电容Coss=137 pF)
- 100%雪崩测试
- 最高结温TJ=175°C
- 该器件无卤,符合RoHS指令豁免条款7a,二级互连无铅
应用领域
- 不间断电源(UPS)
- 直流-直流转换器
- 升压逆变器