NTH4L160N120SC1
1个N沟道 耐压:1.2kV 电流:17.3A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 特性:典型导通电阻RDS(toh) = 160 nΩ。 超低栅极电荷QG(tot) = 34 nC。 低电容高速开关,输出电容Coss = 49.5 pF。 100%雪崩测试。 结温TJ = 175℃。 无卤,符合RoHS豁免7a,二级互连无铅。应用:UPS。 DC-DC转换器
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NTH4L160N120SC1
- 商品编号
- C898276
- 商品封装
- TO-247-4L
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 9.64克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.2kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 17.3A | |
| 耗散功率(Pd) | 111W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 34nC | |
| 输入电容(Ciss) | 665pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 224mΩ |
优惠活动
购买数量
(450个/管,最小起订量 1 个)个
起订量:1 个450个/管
总价金额:
¥ 0.00近期成交0单
