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NTH4L160N120SC1实物图
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NTH4L160N120SC1

1个N沟道 耐压:1.2kV 电流:17.3A

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描述
特性:典型导通电阻RDS(toh) = 160 nΩ。 超低栅极电荷QG(tot) = 34 nC。 低电容高速开关,输出电容Coss = 49.5 pF。 100%雪崩测试。 结温TJ = 175℃。 无卤,符合RoHS豁免7a,二级互连无铅。应用:UPS。 DC-DC转换器
品牌名称
onsemi(安森美)
商品型号
NTH4L160N120SC1
商品编号
C898276
商品封装
TO-247-4L​
包装方式
管装
商品毛重
9.64克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录碳化硅场效应管(MOSFET)
类型N沟道
漏源电压(Vdss)1.2kV
连续漏极电流(Id)17.3A
耗散功率(Pd)111W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))4.3V
栅极电荷量(Qg)34nC
输入电容(Ciss)665pF
工作温度-55℃~+175℃
导通电阻(RDS(on))224mΩ

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起订量:1 个450个/管

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