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NTH4L080N120SC1
1个N沟道 耐压:1.2kV 电流:29A
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NTH4L080N120SC1
- 商品编号
- C898275
- 商品封装
- TO-247-4
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 8.43克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.2kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 29A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 80mΩ@20V | |
| 耗散功率(Pd) | 170W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 1.67nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 6.5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品特性
- 在TJ = 175°C时耐压1200 V
- 在VGS = 20 V、ID = 20 A时,最大导通电阻RDS(on) = 110 mΩ
- 低电容高速开关
- 经过100%雪崩测试
- 该器件无卤,符合含豁免条款7a的RoHS指令,二级互连(2LI)无铅
应用领域
- 工业电机驱动
- 不间断电源(UPS)
- 升压逆变器
- 光伏充电器