温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
HUF75652G3
1个N沟道 耐压:100V 电流:75A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 特性：超低导通电阻：rDS(ON) = 0.008 Ω，VGS = 10 V。温度补偿的PSPICE™和SABER™电气模型。Spice和SABER热阻抗模型。峰值电流与脉冲宽度曲线。UIS额定曲线。该器件无铅、无卤/无溴化阻燃剂，符合RoHS标准
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- HUF75652G3
- 商品编号
- C898257
- 商品封装
- TO-247-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 5克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 75A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8mΩ@10V,75A | |
| 耗散功率(Pd) | 515W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 475nC@20V | |
| 输入电容(Ciss) | 7.585nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 630pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品特性
- 小尺寸封装（5x6 mm），便于紧凑设计
- 低导通电阻 RDS(on)，以降低导通损耗
- 低栅极电荷 QG 和电容，以降低驱动损耗
- NVMFS5C410NLWF 型号可选可焊侧翼封装，便于光学检测
- 通过 AEC - Q101 认证，可提供生产件批准程序（PPAP）文件
- 这些器件为无铅、无卤/无溴化阻燃剂（BFR）产品，符合 RoHS 标准