温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
HUF75639G3
1个N沟道 耐压:100V 电流:56A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 此类 N 沟道功率 MOSFET 使用创新的 UltraFET 工艺生产。此先进工艺技术可实现每单位硅面积最低的导通电阻，从而产生出色的性能。此器件可承受雪崩模式下的高能量，二极管具有很短的逆向恢复时间和极低的存储电荷。它适用于功率能效非常重要的应用，如开关稳压器、开关转换器、电机驱动器、继电器驱动器、低压总线开关，以及便携式和电池运行产品中的功率管理。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- HUF75639G3
- 商品编号
- C898256
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 56A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 25mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 200W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 2nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 65pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
碳化硅（SiC）MOSFET采用全新技术，与硅基器件相比，具备卓越的开关性能和更高的可靠性。此外，低导通电阻和紧凑的芯片尺寸确保了低电容和低栅极电荷。因此，系统优势包括最高效率、更快的工作频率、更高的功率密度、更低的电磁干扰（EMI）和更小的系统尺寸。
商品特性
- 56 A、100 V
- 仿真模型
- 温度补偿的PSPICE和SABER电气模型
- Spice和Saber热阻抗模型
- 峰值电流与脉冲宽度曲线
- 单脉冲雪崩耐量(UIS)额定曲线
- 相关文献:TB334《表面贴装元件焊接到印刷电路板的指南》
- 这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂,符合RoHS标准
应用领域
- 开关稳压器
- 开关转换器
- 电机驱动器
- 继电器驱动器
- 低压总线开关
- 便携式和电池供电产品的电源管理