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FQA28N15
1个N沟道 耐压:150V 电流:33A
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FQA28N15
- 商品编号
- C898218
- 商品封装
- TO-3P
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.09克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 连续漏极电流(Id) | 33A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 67mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 227W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 52nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.6nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 50pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
UniFET™ MOSFET是仙童半导体基于平面条纹和DMOS技术的高压MOSFET系列。该MOSFET经过优化设计，可降低导通电阻，提供更好的开关性能和更高的雪崩能量强度。通过寿命控制技术，UniFET FRFET MOSFET的体二极管反向恢复性能得到了增强。其反向恢复时间trr小于100纳秒，反向dv/dt抗扰度为15V/ns，而普通平面MOSFET的trr则超过200纳秒，反向dv/dt抗扰度为4.5V/ns。因此，在MOSFET体二极管性能至关重要的某些应用中，它可以减少额外元件的使用，提高系统可靠性。该器件系列适用于开关电源转换器应用，如功率因数校正（PFC）、平板显示（FPD）电视电源、ATX电源和电子灯镇流器。
商品特性
- 33 A、150 V,RDS(on) = 90 mΩ(最大值)@ VGS = 10 V,ID = 16.5 A
- 低栅极电荷(典型值40 nC)
- 低Crss(典型值50 pF)
- 100%经过雪崩测试
- 最高结温额定值175°C
应用领域
-开关模式电源-音频放大器-直流电机控制-可变开关电源应用