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FQA32N20C
1个N沟道 耐压:200V 电流:32A
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FQA32N20C
- 商品编号
- C898219
- 商品封装
- TO-3P
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.5克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 32A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 68mΩ@10V,16A | |
| 耗散功率(Pd) | 204W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 110nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.22nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 185pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品概述
这些N沟道增强型功率场效应晶体管采用仙童半导体公司专有的平面条形DMOS技术制造。这种先进技术经过专门设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合用于高效开关模式电源、有源功率因数校正以及基于半桥拓扑的电子镇流器。
商品特性
- 13.5 A、500 V，RDS(on) = 480 mΩ（最大值）@ VGS = 10 V、ID = 6.75 A
- 低栅极电荷（典型值43 nC）
- 低Crss（典型值20 pF）
- 100%经过雪崩测试
- 改善了dv/dt能力
应用领域
- 高效开关模式电源-有源功率因数校正-基于半桥拓扑的电子镇流器