FQA7N80C-F109
1个N沟道 耐压:800V 电流:7A
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FQA7N80C-F109
- 商品编号
- C898223
- 商品封装
- TO-3P
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 6.771克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 800V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.57Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 198W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 27nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.29nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 10pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款N沟道增强型功率MOSFET采用仙童半导体公司专有的平面条形和DMOS技术制造。这种先进的MOSFET技术经过特别设计，可降低导通电阻，提供卓越的开关性能和高雪崩能量强度。这些器件适用于开关电源、音频放大器、直流电机控制和可变开关电源应用。
商品特性
- 7.0 A、800 V,RDS(on) = 1.9 Ω(最大值)@ VGS = 10 V、ID = 3.5 A
- 低栅极电荷(典型值27 nC)
- 低Crss(典型值10 pF)
- 100%雪崩测试
- 符合RoHS标准
应用领域
-开关模式电源-有源功率因数校正(PFC)-电子灯镇流器