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FQA160N08实物图
  • FQA160N08商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

FQA160N08

1个N沟道 耐压:80V 电流:160A

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品牌名称
onsemi(安森美)
商品型号
FQA160N08
商品编号
C898215
商品封装
TO-3P-3​
包装方式
管装
商品毛重
6.771克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)80V
连续漏极电流(Id)160A
导通电阻(RDS(on))5.6mΩ@10V
耗散功率(Pd)375W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))4V
栅极电荷量(Qg)225nC@10V
输入电容(Ciss)6.1nF
反向传输电容(Crss)530pF
工作温度-55℃~+175℃

商品概述

UniFET MOSFET基于平面条纹和DMOS技术。这款MOSFET专为降低导通电阻、提供更好的开关性能和更高的雪崩能量强度而设计。该器件系列适用于开关电源转换器应用,如功率因数校正(PFC)、平板显示(FPD)电视电源、ATX和电子灯镇流器。

商品特性

  • 160 A、80 V,RDS(on) = 7 mΩ(最大值)@ VGS = 10 V,ID = 80 A
  • 低栅极电荷(典型值220 nC)
  • 低Crss(典型值530 pF)
  • 100%雪崩测试
  • 最高结温额定值175°C

应用领域

  • 开关模式电源
  • 音频放大器
  • 直流电机控制
  • 可变开关电源应用

数据手册PDF