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FGA40T65SHD
650V 80A
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- 描述
- 安森美半导体的新型场截止第 3 代 IGBT 系列采用新型场截止 IGBT 技术，为太阳能逆变器、UPS、焊接机、电信、ESS 和 PFC 等低导通和开关损耗至关重要的应用。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FGA40T65SHD
- 商品编号
- C898159
- 商品封装
- TO-3PN
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.0605克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | FS(场截止) | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 650V | |
| 集电极电流(Ic) | 80A | |
| 耗散功率(Pd) | 268W | |
| 输出电容(Coes) | 70pF | |
| 正向脉冲电流(Ifm) | 120A | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 2.1V@40A,15V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 3.5V@40mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 72.2nC@15V | |
| 输入电容(Cies) | 1.995nF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 19.2ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 65.6ns | |
| 导通损耗(Eon) | 1.01mJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 297uJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | 31.8ns | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) | |
| 反向传输电容(Cres) | 23pF |
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