- 引脚图
- 焊盘图
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FGH50N3
FGH50N3
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- 描述
- 此 IGBT 采用安森美半导体的平面工艺，适用于低导通损耗至关重要的、在高频率下运行的多种高电压开关应用。此器件针对中等频率开关模式电源进行了优化。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FGH50N3
- 商品编号
- C898189
- 商品封装
- TO-247-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.562克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | - | |
| 耗散功率(Pd) | 463W | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 300V | |
| 集电极电流(Ic) | 75A | |
| 集电极脉冲电流(Icm) | 240A | |
| 集电极截止电流(Ices) | - | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 1.4V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 4.8V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 180nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Cies) | - | |
| 输出电容(Coes) | - | |
| 反向传输电容(Cres) | - | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 20ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 135ns | |
| 导通损耗(Eon) | 130uJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 92uJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |