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FGY40T120SMD
1.2kV 80A
- 描述
- 安森美半导体的新型场截止沟槽 IGBT 系列采用创新的场截止沟槽 IGBT 技术，为太阳能逆变器、UPS、焊接机和 PFC 等硬开关应用提供最佳性能。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FGY40T120SMD
- 商品编号
- C898205
- 商品封装
- TO-247-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 8.5克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | FS(场截止) | |
| 耗散功率(Pd) | 882W | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 1.2kV | |
| 集电极电流(Ic) | 80A | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 2.4V@40A,15V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 4.9V@40mA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 370nC@15V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输出电容(Coes) | 180pF | |
| 反向传输电容(Cres) | 100pF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 40ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 475ns | |
| 导通损耗(Eon) | 2.7mJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 1.1mJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | 65ns | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |