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FGB40T65SPD-F085
FGB40T65SPD-F085
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- 描述
- FGH40T65SPD_F085 使用新颖的第三代场截止 IGBT 技术，具有低导通损耗和开关损耗的最佳性能，可在各种应用中实现高效能运行，同时提供 50V 的更高阻断电压和稳固的高电流开关可靠性。同时，该零件还具有并行运行的出色性能优势。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FGB40T65SPD-F085
- 商品编号
- C898625
- 商品封装
- D2PAK-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 2.27克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | FS(场截止) | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 650V | |
| 集电极电流(Ic) | - | |
| 耗散功率(Pd) | 267W | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 2.4V@40A,15V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 4V@40mA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 36nC@40A,15V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Cies) | 1.52nF@30V | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 18ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 35ns | |
| 导通损耗(Eon) | 970uJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 280uJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | 206ns | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
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