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FGB3245G2-F085实物图
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FGB3245G2-F085

FGB3245G2-F085

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描述
FGB3245G2_F085 和 FGD3245G2 是使用安森美半导体的 EcoSPARK 2 技术设计的 N 沟道 IGBT,有助于消除外部保护电路。该技术适用于在汽车点火系统的严酷环境中驱动线圈,在更高的运行温度下也能提供出色的 Vsat 和 SCIS 能源能力。逻辑电平门极输入具有 ESD 保护,以及一个集成式门极电阻。集成式齐纳电路会将 IGBT 的集极-射极电压限制在 450 V,可实现需要更高火花电压的系统。
品牌名称
onsemi(安森美)
商品型号
FGB3245G2-F085
商品编号
C898623
商品封装
TO-263AB​
包装方式
编带
商品毛重
1.845克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录IGBT管/模块
IGBT类型-
集射极击穿电压(Vces)450V
集电极电流(Ic)-
耗散功率(Pd)150W
属性参数值
栅极阈值电压(Vge(th))-
输入电容(Cies)-
导通损耗(Eon)-
工作温度-40℃~+175℃@(Tj)

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