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FGY75T120SQDN
1.2kV 150A
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- 描述
- 此绝缘门双极晶体管 (IGBT) 采用耐用和成本高效的超场截止沟槽结构，在要求较高的开关应用中提供卓越的性能，还能提供低导通状态电压和最低的开关损耗。该 IGBT 非常适用于 UPS 和太阳能应用。该器件结合了一个软性和快速的共封装续流二极管，带有较低正向电压。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FGY75T120SQDN
- 商品编号
- C898206
- 商品封装
- TO-247-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 14.275克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | FS(场截止) | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 1.2kV | |
| 集电极电流(Ic) | 150A | |
| 耗散功率(Pd) | 790W | |
| 输出电容(Coes) | 242pF | |
| 正向脉冲电流(Ifm) | 300A | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 1.95V@75A,15V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 4.5V@0.4mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 399nC | |
| 输入电容(Cies) | 9.06nF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 64ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 332ns | |
| 导通损耗(Eon) | 6.25mJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 1.96mJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | 99ns | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) | |
| 反向传输电容(Cres) | 137pF |