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FGH75T65SQDTL4
场截止型沟槽式IGBT，适用于太阳能逆变器、UPS、焊机、电信、ESS和PFC应用，具备低导通和开关损耗
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- 描述
- 安森美半导体的新型场截止第 4 代 IGBT 系列采用新型场截止 IGBT 技术，为太阳能逆变器、UPS、焊接机、电信、ESS 和 PFC 应用等提供绝佳性能，低导通和开关损耗在这些应用中至关重要。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FGH75T65SQDTL4
- 商品编号
- C898197
- 商品封装
- TO-247-4
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 6.31克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | FS(场截止) | |
| 耗散功率(Pd) | 375W | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 650V | |
| 集电极电流(Ic) | 75A | |
| 集电极脉冲电流(Icm) | 300A | |
| 集电极截止电流(Ices) | 250uA | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 1.6V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 4.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 128nC@400V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Cies) | 4.845nF | |
| 输出电容(Coes) | 155pF | |
| 反向传输电容(Cres) | 14pF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 44ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 276ns | |
| 导通损耗(Eon) | 307uJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 266uJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | 76ns | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |