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FGH40T65SHDF-F155
FGH40T65SHDF-F155
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- 描述
- 安森美半导体的新型场截止第 3 代 IGBT 系列采用新型场截止 IGBT 技术，提供了卓越导通和开关性能，以及简便的并行运行。该器件非常适合谐振或软开关应用，比如电感加热和微波炉。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FGH40T65SHDF-F155
- 商品编号
- C898184
- 商品封装
- TO-247-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 6.85克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | FS(场截止) | |
| 耗散功率(Pd) | 268W | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 650V | |
| 集电极电流(Ic) | 40A | |
| 集电极脉冲电流(Icm) | 120A | |
| 集电极截止电流(Ices) | - | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 1.45V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 5.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 68nC@15V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Cies) | 1.982nF | |
| 输出电容(Coes) | 70pF | |
| 反向传输电容(Cres) | 25pF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 18ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 64ns | |
| 导通损耗(Eon) | 1.22mJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 440uJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | 101ns | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |