- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
FGH30T65UPDT-F155
FGH30T65UPDT-F155
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FGH30T65UPDT-F155
- 商品编号
- C898174
- 商品封装
- TO-247-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 0.494克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | FS(场截止) | |
| 耗散功率(Pd) | 250W | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 650V | |
| 集电极电流(Ic) | 30A | |
| 集电极脉冲电流(Icm) | 90A | |
| 集电极截止电流(Ices) | - | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | - | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 155nC@15V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Cies) | 2.28nF | |
| 输出电容(Coes) | 85pF | |
| 反向传输电容(Cres) | 40pF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 22ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 139ns | |
| 导通损耗(Eon) | 760uJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 400uJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | 33ns | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
采用新型场截止沟槽IGBT技术，新系列场截止沟槽IGBT为太阳能逆变器、UPS和数字电源发生器提供性能，其中低导通和开关损耗至关重要。
商品特性
- 最大结温：T_U = 175°C
- 正温度系数，便于并联操作
- 高电流能力
- 低饱和电压：V_CE(sat) = 1.65 V（典型值）@ I_C = 30 A
- 100% 的部件经过 I_LM(2) 测试
- 高输入阻抗
- tightened参数分布
- 符合RoHS标准
- 短路鲁棒性 >5 us @ 25°C
应用领域
- 太阳能逆变器
- UPS
- 数字电源发生器